SRAM Память; 2,2-3,6В; 4Mb (256K x 16) ; 44-TSOP
CY62147EV30LL-45ZSXI
Микросхема статической памяти, корпус TSOP-44, объём 4 Мбит, напряжение питания 2,2...3,6 В, быстродействие 45 нс, температура -40...+85 С
4Mb (256K x 16) GB
Parallel
Volatile
SRAM
45.00 ns
от 2.20 до 3.60 V
от -40.00 до 85.00 °C